Nichtflüchtiger Speicher von 4DS wird den 60 Mrd. USD schweren Markt umwälzen

FREMONT, KALIFORNIEN--(Marketwire - February 11, 2009) - 4DS, Inc.
ist auf der aktiven Suche nach Partnern, um den kostengünstigen,
nichtflüchtigen Halbleiterspeicher, eine Art RRAM (Resistive Random
Access Memory) zu produzieren, bei dessen Herstellung wesentlich
weniger Maskenschritte als bei herkömmlichen Speichertechnologien
notwendig sind. 4DS, Inc.s revolutionärer, nichtflüchtiger
RRAM-Speicher verfügt über die Dichte von FLASH-Speicher, die
Geschwindigkeit von DRAM und wird mithilfe eines firmeneigenen
Verfahrens hergestellt, das sich sehr leicht auf vorhandene
Halbleiteranlagen übertragen lässt.

,,4DS-Speicher kann prinzipiell alle existierenden Halbleiterspeicher
ersetzen und wird im Gegensatz zu vergleichbaren Speichertechnologien
wie FLASH und DRAM mit nur einem Bruchteil der zusätzlichen
Maskenschritte gegenüber Standard-CMOS hergestellt", sagte Kurt
Pfluger, CEO von 4DS, Inc. ,,Das 4DS-Verfahren nutzt vorhandene
Halbleiterverfahren und erfordert nur geringe Änderungen an der
Halbleiterproduktionsanlage. Die Herstellung ist dank eines
Verfahrens, das sehr viel weiter hochskaliert werden kann als NAND
oder NOR FLASH, sehr einfach."

,,Die Partnerschaft mit einem Branchenführer böte die Gelegenheit,
den 60 Mrd. USD schweren Halbleiterspeichermarkt mit einem Schlag
umzuwälzen und den der eingebetteten Speicheranwendungen gleich mit",
sagte Pfluger.

Beim RRAM-Speicher von 4DS, Inc. handelt es sich um einen
nichtflüchtigen Speicher hoher Kapazität mit kurzen, unter 5 ns
gemessenen Schaltzeiten und einer Lebensdauer von 1 Milliarde
Schreib-/Lesezyklen. RRAM verfügt über das Potenzial, der
Spitzenreiter unter den Speichertechnologien zu werden. RRAM benötigt
einen niedrigeren Programmierstrom als PRAM oder MRAM, ohne dass die
Programmierleistung, Speicherfähigkeit oder Dauerhaltbarkeit darunter
leidet. Im Vergleich zu PRAM kann RRAM schneller getaktet werden und
hat im Vergleich zu MRAM eine einfachere und kleinere Zellstruktur
(MRAM = 16 F-Quadrat, 4DS = 4 F-Quadrat). Im Vergleich zu FLASH- und
Racetrack-Speicher benötigt RRAM niedrigere Spannungen und Ströme und
kann somit in stromsparenden Anwendungen eingesetzt werden.

Informationen zu 4DS, Inc.

4DS, Inc. ist ein im Silicon Valley ansässiger Hersteller
nichtflüchtiger Halbleiterspeicher. 4DS, Inc. stellt
hochleistungsfähige Speicherprodukte der nächsten Generation mit
hoher Speicherkapazität und niedrigen Kosten her. 4DS hat ein neues,
kostengünstiges Verfahren für die Massenproduktion entwickelt. Der
revolutionäre RRAM-Speicher von 4DS, Inc. wird mithilfe eines
firmeneigenen Verfahrens hergestellt, das sich sehr leicht in
vorhandene Halbleiteranlagen integrieren lässt.

4DS, Inc. ist ein in privater Hand befindliches, in Fremont,
Kalifornien, ansässiges US-amerikanisches Unternehmen und
Tochtergesellschaft des australischen Unternehmens 4D-S Pty Ltd. Für
weitergehende Informationen besuchen Sie bitte die Website unter
www.4-D-S.com.

Ansprechpartner:
Kurt Pfluger
4DS, Inc.
Tel.: 408/219/6490
E-Mail: kurt@4-d-s.com

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